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限定条件	作者：周大华    第一作者

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	Preparation and photoelectric characterization of p-GeSe/p-WS2 heterojunction devices 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2022, 卷号: 55, 期号: 32, 页码: 9 作者:  Yan, Bing;  Zhang, Guoxin;  Ning, Bo;  Chen, Sikai;  Zhao, Yang;  Zhou, Dahua;  Shi, Xuan;  Shen, Jun;  Xiao, Zeyun;  Zhao, Hongquan 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2022/08/22 van der Waals heterojunction  p-p type junction  GeSe/WS2  optoelectronic properties
	Ultra-Thin GeSe/WS2 Vertical Heterojunction with Excellent Optoelectronic Performances 期刊论文 ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2022, 页码: 7 作者:  Yan, Bing;  Ning, Bo;  Zhang, Guoxin;  Zhou, Dahua;  Shi, Xuan;  Wang, Chunxiang;  Zhao, Hongquan 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2022/08/22 2D materials  GeSe  WS  (2)  heterojunctions  optoelectronic properties  photodetectors
	Enhancement of photodetection by PbSe quantum dots on atomic-layered GeS devices 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 50, 页码: 9 作者:  Li, Yuzhi;  Shi, Xuan;  Dai, Fangbo;  Zhou, Dahua;  Jin, Minghui;  Zheng, Hongying;  Yang, Yuhui;  Zhao, Hongquan;  Wang, Junzhong 收藏  |  浏览/下载：135/0  |  提交时间：2020/12/01 hybrid-structure  atomic-layered GeS film  PbSe quantum dots  photoresponsivity  carrier mobility
	Fast and Broadband Photoresponse of a Few-Layer GeSe Field-Effect Transistor with Direct Band Gaps 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 41, 页码: 38031-38038 作者:  Zhao, Hongquan;  Yang, Yuhui;  Wang, Chunxiang;  Zhou, Dahua;  Shi, Xuan;  Li, Yuzhi;  Mao, Yuliang 收藏  |  浏览/下载：104/0  |  提交时间：2020/08/24 few-layer GeSe  field-effect transistors  photoresponse time  broadband photoresponse  direct band gaps  ambipolar behavior
	Band Structure and Photoelectric Characterization of GeSe Monolayers 期刊论文 ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2018, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 10 作者:  Zhao, Hongquan;  Mao, Yuliang;  Mao, Xin;  Shi, Xuan;  Xu, Congshen;  Wang, Chunxiang;  Zhang, Shangmin;  Zhou, Dahua Adobe PDF(8065Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：537/0  |  提交时间：2018/06/04 band structures  GeSe monolayers  photoelectric devices  semiconductors
	Bandgap modulation of MoS2 monolayer by thermal annealing and quick cooling 期刊论文 NANOSCALE, 2016, 卷号: 8, 期号: 45, 页码: 18995-19003 作者:  Zhao, Hong-Quan;  Mao, Xin;  Zhou, Dahua;  Feng, Shuanglong;  Shi, Xuan;  Ma, Yong;  Wei, Xingzhan;  Mao, Yuliang Adobe PDF(1977Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：261/0  |  提交时间：2018/03/15