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限定条件	作者：赵洪泉    第一作者

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	Preparation of Mixed Few-Layer GeSe Nanosheets with High Efficiency by the Thermal Sublimation Method 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2023, 页码: 8 作者:  Wang, Chunxiang;  Shi, Xuan;  Liu, Shaoxiang;  Zhao, Hongquan;  Zhang, Wei 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2023/12/25 thermal sublimation  mixed few-layer GeSe  direct bandgap  broadband spectra  GeSe nanosheets  PVD method
	Toxic gases molecules (NH3, SO2 and NO2) adsorption on GeSe monolayer with point defects engineering 期刊论文 CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 706, 页码: 501-508 作者:  Mao, Yuliang;  Long, Linbo;  Yuan, Jianmei;  Zhong, Jianxin;  Zhao, Hongquan Adobe PDF(3324Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：264/0  |  提交时间：2018/09/25 Monolayer Gese  Point Defect  First-principles  Work Function
	Effect of stacking order and in-plane strain on the electronic properties of bilayer GeSe 期刊论文 PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2018, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 6929-6935 作者:  Mao, Yuliang;  Xu, Congshen;  Yuan, Jianmei;  Zhao, Hongquan Adobe PDF(1366Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：267/0  |  提交时间：2018/06/04
	Band Structure and Photoelectric Characterization of GeSe Monolayers 期刊论文 ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2018, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 10 作者:  Zhao, Hongquan;  Mao, Yuliang;  Mao, Xin;  Shi, Xuan;  Xu, Congshen;  Wang, Chunxiang;  Zhang, Shangmin;  Zhou, Dahua Adobe PDF(8065Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：541/0  |  提交时间：2018/06/04 band structures  GeSe monolayers  photoelectric devices  semiconductors