中国科学院重庆绿色智能技术研究院机构知识库

本发明提供一种无催化剂横向生长纳米线网电路的方法，应用于半导体领域，所述方法包括：1）提供一表面制备有周期性纳米硅柱的硅衬底和供盛放化学反应物的舟；2）将所述硅衬底制备有周期性纳米硅柱的一面朝向盛有化学反应物的舟进行放置；3）采用高温化学气相沉积方法于各纳米硅柱侧面棱角处制备出横向生长的氧化锌纳米线网。本发明将表面制备有周期纳米柱的硅电极衬底生长面向下放置在盛有化学反应物的舟上放置，进而能控制横向生长纳米线网形成纳米网桥接电路，不需要镀金膜作为催化剂，节省工序降低成本。