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PbS量子点Si-APD红外探测器
陆文强; 张昆; 付勰; 康帅; 冯双龙
2020-03-31
摘要

 本实用新型提出一种PbS量子点Si‑APD红外探测器,所述探测器包括本征Si基底(1)、反射区(4)、N+掺杂区(3)、P掺杂区(2)、P+掺杂区(6)、PbS量子点层(7)、上电极(5)和下电极(8),反射区(4)位于本征Si基底(1)正上方、N+掺杂区(3)位于反射区(4)下方、P掺杂区(2)位于N+掺杂区(3)下方、P+掺杂区(6)位于本征Si基底(1)下方、PbS量子点层(7)位于P+掺杂区(6)下方、上电极(5)位于反射区(4)上表面,以及下电极(8)位于PbS量子点层(7)下表面。本实用新型以PbS量子点层作为吸收层,采用纯电子注入的方式,使得本实用新型能够吸收近红外波段光波,具有光谱响应宽,响应度高,过噪声小,成本低,易于加工等优点。

专利类型实用新型
语种中文